采用大功率LED芯片的防爆探照燈手電筒，都存在散熱的問(wèn)題。大功率LED芯片的特點(diǎn)是在狹窄的空間內(nèi)產(chǎn)生非常高的熱量。由于LED熱容量小，需防爆手電筒LED芯片廠商解決熱量傳導(dǎo)的問(wèn)題。從而吧熱量傳導(dǎo)出去，不然就會(huì)使LED產(chǎn)生過(guò)高的結(jié)溫。下面來(lái)看一下強(qiáng)光防爆手電筒LED芯片散熱是如何解決散熱問(wèn)題的。

       防爆LED芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn)

       起初，為了解決LED芯片熱傳導(dǎo)，工程師對(duì)LED芯片結(jié)構(gòu)做了一系列改進(jìn)，其中就有LED大廠CREE的功勞。CREE公司采用碳化硅作基底為L(zhǎng)ED芯片的新型熱阻，這種LED芯片結(jié)構(gòu)下的熱阻比之前的降低了一倍。

       解決封裝與PCB板散熱問(wèn)題

　　防爆手電筒LED芯片廠商已經(jīng)解決了晶片到封裝材料間的抗熱性，但封裝到PCB板的散熱還未得到有效解決。封裝到PCB的散熱不解決的話，同樣造成升溫和LED發(fā)光效率下降。而這個(gè)時(shí)候松下公司解決了這樣的問(wèn)題，松下工程師把包括圓形，線形，面型的LED和PCB基板集成化，以此克服LED從封裝到PCB板間散熱問(wèn)題。

　　總結(jié)，在當(dāng)前大功率防爆探照燈、大功率防爆頭燈的催化下，不斷提高防爆燈具的電流已不可避免，增加防爆燈具的抗熱能力、導(dǎo)熱能力、散熱能力是業(yè)內(nèi)共同面臨的問(wèn)題。除了材料外，還包括LED晶片與封裝材料間的抗熱性、LED芯片導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)、LED與PCB集成板的散熱結(jié)構(gòu)等等，因此解決防爆強(qiáng)光手電筒LED芯片散熱問(wèn)題應(yīng)從以上多個(gè)維度來(lái)綜合考量。